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J-GLOBAL ID：200903083290382660

化合物半導体バルク単結晶の成長方法及びその装置

Inventor： 松本 和久
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055936
Publication number (International publication number)：1995263345
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 横型反応管を用い、昇華法、ハロゲン輸送法等の化学輸送法で種結晶上に、形状の整ったバルク単結晶を効率的に気相成長する方法及びその装置を提供しようとするものである。【構成】 横型反応管の一端に結晶原料を配置して昇華させ、他端に配置した種結晶上に化合物半導体バルク単結晶を成長させる際に、種結晶を凹部に固定し、多結晶の発生を防止できる種結晶の固定手段、例えば、種結晶と接触する面のみにカーボン膜をコーティングした透明石英製固定治具で固定することを特徴とする化合物半導体バルク単結晶の成長方法及びその成長装置に関する。

Claim (excerpt)：

横型反応管の一端に結晶原料を配置し、その構成元素単体又はその化合物を気相状態で輸送し、他端に配置した種結晶上に化合物半導体バルク単結晶を成長させる方法において、反応管鉛直端部に種結晶の厚さより浅い凹部を設けて種結晶を装着し、種結晶表面の周辺部分を覆う大きさの開口を有する固定治具で種結晶を固定して結晶成長を行うことを特徴とする化合物半導体バルク単結晶の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/04 ,  H01L 21/205