半導体膜の改良された堆積方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：三枝英二 , 舘泰光 , 眞下晋一 , 松本公雄 , 立花顕治
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002578556
Publication number (International publication number)：2004529496
Application date： Feb. 01, 2002
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：

化学気相成長プロセスにおいて、輸送量制限領域又はその近傍で、薄膜の堆積を行うことを可能にする化学前駆体を利用する。このプロセスによれば、堆積速度が大きく、さらに組成的にも厚み的にも、通常の化学前駆体を用いて調整した膜より均一な膜を生成することができる。好ましい実施の形態では、トリシランを使用して、トランジスタゲート電極などの様々な用途で半導体産業において有用なSi含有薄膜を堆積する。

Claim (excerpt)：

均一性の高いSi含有材料を表面上に堆積する方法であって、内部に基板を配置したチャンバを用意するステップであって、トリシラン蒸気を用いた堆積に対して実質的に輸送量制限される条件を確立するように選択された温度に、前記基板を制御するステップと、トリシランの代わりにシランを用いた堆積と比べて、堆積の均一性を改良するように選択された流れで、トリシランを含むガスを前記チャンバに導入するステップと、 Si含有膜を前記基板上に堆積するステップとを含む方法。

IPC (4)：

H01L21/205 , C23C16/42 , H01L21/285 , H01L21/316

FI (5)：

H01L21/205 , C23C16/42 , H01L21/285 C , H01L21/285 301 , H01L21/316 X

F-Term (71)：

4K030AA01 , 4K030AA04 , 4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA09 , 4K030BA10 , 4K030BA22 , 4K030BA27 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030BA43 , 4K030BA44 , 4K030BB02 , 4K030BB03 , 4K030BB05 , 4K030BB12 , 4K030BB14 , 4K030CA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030KA01 , 4K030KA02 , 4K030KA41 , 4K030LA12 , 4K030LA15 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AB40 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045BB02 , 5F045DP04 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF03 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体超格子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-223234 Applicant：富士通株式会社
特開平4-323834
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-042182 Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-043976 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

特公平5-087171

半導体膜形成方法及び半導体膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-179640 Applicant：沖電気工業株式会社

半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-097810 Applicant：川崎製鉄株式会社

成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-248292 Applicant：株式会社東芝

シリコンゲルマニウム混晶の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-007119 Applicant：ソニー株式会社

バイポーラトランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-197149 Applicant：ソニー株式会社

枚葉式気相成長装置の排気管
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-277684 Applicant：コマツ電子金属株式会社, 株式会社小松製作所

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Cited by examiner (1)

エピタキシャル成長のメカニズム

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