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J-GLOBAL ID：200903083298870590

電子線照射方法

Inventor： 星 康久 ,  岡崎 泰三 ,  中井 康二
Applicant, Patent owner： 日新ハイボルテージ株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999350975
Publication number (International publication number)：2001164008
Application date： Dec. 10, 1999
Publication date： Jun. 19, 2001
Summary：

【要約】【目的】 基材の両側を被膜で覆った多層構造体に電子線を照射すると分解ガスが被膜によって閉じ込められるから気泡ができたり膨出部ができたり変形したりする。変形膨大部気泡ができないような電子線照射方法を与える事。【構成】 基材の質量をm、基材のG値(100eVのエネルギーによって発生するガス分子の個数)をG、総照射線量をM(Mrad)、照射分割数をN、被膜の面積をA、被膜の厚みをL、被膜の拡散定数をK、として、2.32×10<SP></SP><SP>-2</SP>mGML<TKANが成り立つように、分割数Nおよび休止期間Tを決める。

Claim (excerpt)：

基材の両面が被膜で被覆されている多層構造被処理物を電子線処理する方法であって、必要線量MをN分割し、1回当たりのガス発生量Qが休止期間での被覆を通るガス放散量Sよりも小さくなるように、休止期間Tをおいて分割線量(M/N)をN回に分けて被照射物に照射することを特徴とする電子線照射方法。

IPC (4)：

C08J 7/00 302 ,  C08J 7/00 CER ,  G21K 5/04 ,  C08L101:00

FI (4)：

C08J 7/00 302 ,  C08J 7/00 CER ,  G21K 5/04 E ,  C08L101:00

F-Term (9)：

4F073AA05 ,  4F073BA07 ,  4F073BA09 ,  4F073BB01 ,  4F073BB07 ,  4F073CA42 ,  4F073HA09 ,  4F073HA11 ,  4F073HA15