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J-GLOBAL ID：200903083315343648
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991310407
Publication number (International publication number)：1993152202
Application date： Nov. 26, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】低温処理に対応するため低温での改質性能を向上させる。【構成】液体微量連続定量供給装置2と石英粒子4を内蔵した石英の蒸気発生容器3と蒸気結露防止を考慮した効果的な分岐筒9とによってアンモニア蒸気と高濃度のオゾンを混合して複数ノズルによって被処理面に供給し、かつ、紫外線15の照射をする。【効果】処理温度250°C以下で剥離性能の改善効果が得られた。
Claim (excerpt)：
紫外線とオゾンとアンモニアの作用によってレジストを剥離除去する工程をもつことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
