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J-GLOBAL ID:200903083320649852
ラブ波デバイス
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994253809
Publication number (International publication number):1996125485
Application date: Oct. 19, 1994
Publication date: May. 17, 1996
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】Ta薄膜、W薄膜によって、ラブ波励振IDT電極を形成したラブ波デバイスを提供する。【構成】(Y-X)LiNbO3 基板3上に、IDT電極4をTa薄膜またはW薄膜で形成する。
Claim (excerpt):
YカットX伝搬のLiNbO3 基板上に、ラブ波を励振するインターディジタルトランスデューサ(以下IDTと略す)をTa薄膜で形成したラブ波デバイス。
IPC (2):
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