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J-GLOBAL ID：200903083320649852

ラブ波デバイス

Inventor： 門田 道雄 ,  米田 年麿 ,  溝口 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253809
Publication number (International publication number)：1996125485
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】Ta薄膜、W薄膜によって、ラブ波励振IDT電極を形成したラブ波デバイスを提供する。【構成】(Y-X)LiNbO3 基板3上に、IDT電極4をTa薄膜またはW薄膜で形成する。

Claim (excerpt)：

YカットX伝搬のLiNbO3 基板上に、ラブ波を励振するインターディジタルトランスデューサ(以下IDTと略す)をTa薄膜で形成したラブ波デバイス。

IPC (2)：

H03H 9/145 ,  H03H 9/25