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J-GLOBAL ID：200903083333571860

レベルシフト回路

Inventor： 浅田 秀樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996237587
Publication number (International publication number)：1998084259
Application date： Sep. 09, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 多結晶シリコン薄膜トランジスタのような閾値電圧が高いトランジスタを用いても、外部信号処理回路で通常用いられている5V、3.3Vの入力信号に対し、高速に応答することができるレベルシフト回路を提供する。【解決手段】 CMOSインバータ回路をカスケードに2段接続し、そのCMOSインバータ回路の駆動電圧VDDを入力信号電圧VINよりも高くする。この回路において、初段CMOSインバータ回路のグランドレベルVSS1を負電圧に設定することにより、初段CMOSインバータ回路の閾値電圧を5V、あるいは3.3Vよりも低くすることができる。この際、2段のCMOSインバータ回路を構成しているNMOSトランジスタN1、N2と、PMOSトランジスタP1、P2のそれぞれの閾値電圧の絶対値の和は、入力信号電圧の振幅よりも大きい。

Claim (excerpt)：

カスケード接続された2段のCMOSインバータ回路からなるレベルシフト回路であって、そのCMOSインバータ回路の駆動電圧が入力信号電圧よりも高く、かつ、初段CMOSインバータ回路のグランドレベルが負電圧であることを特徴とするレベルシフト回路。

IPC (7)：

H03K 5/02 ,  G09G 3/36 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H03K 5/151 ,  H03K 19/0185 ,  H03K 19/0948

FI (7)：

H03K 5/02 L ,  G09G 3/36 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 613 A ,  H03K 5/15 C ,  H03K 19/00 101 D ,  H03K 19/094 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-122724
  
• 特開昭57-075027
  
• 特開昭62-195921