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J-GLOBAL ID：200903083346521854

磁気抵抗効果素子およびその製造方法

Inventor： 中島 健太郎 ,  斉藤 好昭 ,  橋本 進
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001098496
Publication number (International publication number)：2002299724
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子31を下部電極11上に形成された第1の絶縁膜中21の凹部21aにコリメート法で堆積形成する。第1の絶縁膜への凹部形成は、開口が形成されたハードマスクを用いた等方性エッチングにより行われる。第2の絶縁膜41で凹部21aを埋め込んだ後、第1と第2の絶縁膜を平面的にエッチバックし、磁気抵抗効果素子31のコンタクトメタルを露出させ、その上に上部電極51を形成する。

Claim (excerpt)：

下部電極の表面に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に形成され前記下部電極の表面に至る開口と、前記開口内に前記開口の側壁から離れて形成された前記下部電極に接続する磁気抵抗効果膜と、前記開口の側壁と前記磁気抵抗効果膜との間に形成された第2の絶縁層と、前記磁気抵抗効果膜に接続する上部電極とを具備してなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (8)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

F-Term (32)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA02 ,  5F083GA03 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40