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J-GLOBAL ID：200903083354460546

微細構造体、その製造方法、光スイッチングデバイス、光スイッチングユニットおよび画像表示装置

Inventor： 上島 俊司
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000095415
Publication number (International publication number)：2001281564
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動する光スイッチングデバイスにおいて、耐久性および信頼性の高いデバイスを提供する。【解決手段】 光学素子3とアクチュエータ6とが接続する上電極7の上面の接続面15の面粗度Raを0.02μから0.2μ程度の範囲する。この程度の面粗度Raは、アニールあるいはイオン照射などによって実現でき、光学素子3とアクチュエータ6との密着度を飛躍的に高めることができる。したがって、高速駆動が可能で、信頼性および耐久性の高い光スイッチングデバイス50を提供できる。

Claim (excerpt)：

ほぼミクロン単位の構造を備えた第1の構造層と、この第1の構造層に積層された第2の構造層とを有する微細構造体であって、前記第1の構造層の表面のうち、少なくとも前記第2の構造層が接する接続領域の表面の中心線平均粗さRaが0.02から0.2ミクロンの範囲であることを特徴とする微細構造体。

IPC (3)：

G02B 26/08 ,  B81B 3/00 ,  G02B 5/04

FI (3)：

G02B 26/08 D ,  B81B 3/00 ,  G02B 5/04 A

F-Term (9)：

2H041AA16 ,  2H041AB27 ,  2H041AB40 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  2H041AZ08 ,  2H042CA00 ,  2H042CA14 ,  2H042CA17