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J-GLOBAL ID：200903083354495749

光電変換装置

Inventor： 小塚 開 ,  須川 成利
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995259623
Publication number (International publication number)：1997102627
Application date： Oct. 06, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【目的】 非単結晶半導体からなるリーチスルー型の光電変換装置において、キャリア増倍領域と電荷注入阻止層の界面欠陥に起因する暗電流を低減することが可能な、新規な構造の光電変換装置を提供する。【構成】 少なくとも光吸収領域103、第1導電型領域104、キャリア増倍領域105、第2導電型の電荷注入阻止領域107から成るリーチスルー型アバランシェフォトダイオードにおいて、前記キャリア増倍領域105と前記電荷注入阻止領域107との間に、前記第2導電型の電荷注入阻止領域107よりも不純物濃度が小さく、かつ第2導電型を有する電界緩和領域106を設けたことを特徴とする光電変換装置。

Claim (excerpt)：

少なくとも光吸収領域、第1導電型領域、キャリア増倍領域、第2導電型の電荷注入阻止領域から成るリーチスルー型アバランシェフォトダイオードにおいて、前記キャリア増倍領域と前記電荷注入阻止領域との間に、前記第2導電型の電荷注入阻止領域よりも不純物濃度が小さく、かつ第2導電型を有する電界緩和領域を設けたことを特徴とする光電変換装置。