ポジ型レジスト組成物

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998257003
Publication number (International publication number)：2000089461
Application date： Sep. 10, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】深紫外線、特にArF エキシマレーザー光に対して、残膜率、レジストプロファイルが優れるとともに、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、主鎖に脂環式基を有し且つカルボキシル基を有するポリシクロオレフィン樹脂、特定の構造の基を少なくとも2個有する化合物、分子内に含窒素塩基性基と酸性基とを含む化合物、フッソ系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)主鎖に脂環式基を有し、且つカルボキシル基を有するポリシクロオレフィン樹脂、(C)下記一般式(I)で表される基を少なくとも2個有する化合物、(D)分子内に含窒素塩基性基と酸性基とを含む化合物、及び(E)フッソ系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(I)中、R1 〜R3 は、各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。またR1 〜R3 の内の2つが結合して3〜8個の炭素原子あるいはヘテロ原子から成る環構造を形成してもよい。Zは-O-、-S-、-SO2-又は-NH-基を示す。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/039 601 , C08L 65/00 , H01L 21/027 , C08L 45/00

FI (5)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/039 601 , C08L 65/00 , C08L 45/00 , H01L 21/30 502 P

F-Term (71)：

2H025AA00 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BC23 , 2H025BE08 , 2H025BE10 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB51 , 2H025CC04 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J002BK001 , 4J002CE001 , 4J002CH052 , 4J002CP032 , 4J002CP082 , 4J002EB107 , 4J002EB127 , 4J002EB147 , 4J002ED026 , 4J002ED057 , 4J002EF098 , 4J002EH049 , 4J002EH059 , 4J002EH136 , 4J002EH147 , 4J002EL106 , 4J002EN068 , 4J002EN118 , 4J002EP018 , 4J002ES007 , 4J002ET006 , 4J002EU008 , 4J002EU01 , 4J002EU018 , 4J002EU026 , 4J002EU028 , 4J002EU048 , 4J002EU058 , 4J002EU078 , 4J002EU098 , 4J002EU108 , 4J002EU148 , 4J002EU158 , 4J002EU187 , 4J002EU188 , 4J002EU217 , 4J002EV047 , 4J002EV066 , 4J002EV187 , 4J002EV216 , 4J002EV217 , 4J002EV23 , 4J002EV238 , 4J002EV257 , 4J002EV288 , 4J002EV307 , 4J002EV328 , 4J002FD020 , 4J002FD090 , 4J002FD312 , 4J002FD319 , 4J002GP03 , 4J002HA05

Return to Previous Page