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J-GLOBAL ID：200903083380219997

窒化物半導体素子

Inventor： 杉本 康宜 ,  米田 章法
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004043325
Publication number (International publication number)：2004274042
Application date： Feb. 19, 2004
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】 低抵抗で信頼性に優れた電極構造を有する窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 半導体層上に、オーミック接触する第1電極と、その上に接し、第1電極と異なる形状からなる第2電極とを有する窒化物半導体素子であって、第1電極と前記第2電極は、第1電極表面を形成する第1電極の上層と、熱処理された第1電極に堆積された第2電極の下層とからなる接合層領域を有し、接合層領域が白金族元素からなることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体層上に、オーミック接触する第1電極と、その上に接し、前記第1電極と異なる形状からなる第2電極とを有する窒化物半導体素子であって、 前記第1電極と前記第2電極は、第1電極表面を形成する第1電極の上層と、熱処理された第1電極に堆積された第2電極の下層とからなる接合層領域を有し、 前記接合層領域が白金族元素からなることを特徴とする。

IPC (3)：

H01S5/042 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00

FI (4)：

H01S5/042 612 ,  H01L21/28 301B ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 E

F-Term (40)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09 ,  4M104HH15 ,  5F041AA04 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB05 ,  5F073AA11 ,  5F073BA09 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA30 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-104370   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (3)

• 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-045986   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-279020   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-104370   Applicant：日本電気株式会社