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J-GLOBAL ID：200903083392358194
化合物半導体の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995128535
Publication number (International publication number)：1996321465
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：
【要約】【目的】Si単結晶基板上に格子欠陥が少なく結晶性の良い化合物半導体膜をエピタキシャル成長する化合物半導体の製造方法を提供する。【構成】Si単結晶基板1上の窒化膜2をマスクとして、露出しているSi単結晶基板1表面を酸化してSi多孔質層3を形成すし、窒化膜2をエッチング除去する。次に、MOVPE法などによって、第1のGaAsバッファ層と、第2のGaAsバッファ層と、GaAs活性層とからなる第1のGaAs膜4a及び第2のGaAs膜4bを成膜する。【効果】GaAsとSiとの格子不整合に伴うGaAs中の歪みがSi多孔質層3上の第2のGaAs膜4bにより緩和されるので、Si単結晶基板1上に転位等の格子欠陥が少なく、結晶性の良い第1のGaAs膜4aをエピタキシャル成長することができる。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶基板の表面に選択的にシリコン多孔質層を形成する工程と、前記シリコン単結晶基板上及び前記シリコン多孔質層上に化合物半導体膜を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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