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J-GLOBAL ID：200903083394582474

ガスセンサ

Inventor： 大田 典宏 ,  七海 昌昭
Applicant, Patent owner： 本田技研工業株式会社
Agent (1)： 下田 容一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994151269
Publication number (International publication number)：1996015199
Application date： Jul. 01, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 耐熱性と耐久性を十分に満足し且つNOX選択性に優れたガスセンサを提供する。【構成】 ガスセンサ1は、円盤形状に成形されたβ型(単斜晶)Nb2O5またはβ型(単斜晶)Nb2O5とRuからなる金属酸化物半導体製の検知部2の表面にAuまたはPtペーストを塗布してなる電極3,3を形成し、この電極3,3にPtからなるリード線4,4を接続している。

Claim (excerpt)：

接触するガスの濃度に応じて抵抗が変化する半導体タイプのガスセンサにおいて、このガスセンサはβ型(単斜晶)Nb2O5をセンサ検知部の主体としていることを特徴とするガスセンサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-168947
  
• 特開昭59-060348
  
• 特開昭60-052001