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J-GLOBAL ID：200903083411791031

半導体レーザおよびその製法

Inventor： 虫上 雅人 ,  手銭 雄太 ,  村山 実
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994328338
Publication number (International publication number)：1996186323
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザにおいて、クラッド層や電流阻止層に光を吸収し易い材料を用いず、動作電圧の低下をはかる。【構成】 半導体レーザを構成する上下クラッド層2、4、6および活性層3が組成式:(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>1-y </SB>P(0<x≦1:層ごとにxの値は異なる、yは約0.5 )で表される化合物半導体が用いられ、電流阻止層5および上部第1クラッド層4のエネルギーバンドギャップが活性層3のそれより大きい半導体からなっている。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板上に、第1導電型の下部クラッド層、活性層、第2導電型の上部第1クラッド層、ストライプ状の開口部を有する第1導電型の電流阻止層および第2導電型の上部第2クラッド層が、順次積層されてなり、少なくとも前記電流阻止層以外の各層を構成する半導体が、組成式:(Alx Ga1-x )y In1-y P(yは約0.5 )で表される化合物半導体で、該式中のxは、0≦x≦1の範囲内で、各層ごとに所定値を有し、前記電流阻止層および上部第1クラッド層はそのエネルギーハンドギャップが、前記活性層のエネルギーバンドギャップより大きな材料からなる半導体レーザ。