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J-GLOBAL ID：200903083418020324

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 桑原 正志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220519
Publication number (International publication number)：1995058322
Application date： Aug. 13, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 オン電圧とターンオフ時間のトレードオフを改善でき安定した素子特性が得られる新規なアノード構造を有する高耐圧半導体装置を提供する。【構成】 低不純物濃度の第1導電型ドレイン領域12に隣接して第2導電型アノード領域11を備えたIGBTの前記アノード領域とこのアノード領域と接する部分を含む前記ドレイン領域の一部に重金属拡散領域24を形成する。この重金属拡散領域の形成方法として、前記アノード領域のアノード電極19が形成される表面に重金属のシリサイド層21を形成し、これを熱処理してシリサイド層の重金属を拡散して得る。ドレイン領域内の一部に形成され、アノード領域に隣接している重金属拡散領域は、ドレイン領域のキャリアライフタイムを短くしてホールの注入量を適正化すると共にスイッチングオフ時にドレイン領域に存在する電子がアノード領域を通過するときに発生する新たなホールの注入を抑制できる。アノード電極とアノード領域との間に形成される重金属のシリサイド層は、また、アノード電極のアノード領域へのオーミックコンタクトを確実にする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板に形成された第1導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域内に形成され、前記半導体基板の第1の主面に露出している第2導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成され、前記半導体基板の前記第1の主面に露出している第1導電型のソース領域と、前記半導体基板の前記第1の主面上に前記ソース領域と前記ドレイン領域に跨がり、かつ、前記ベース領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲートと、前記ソース領域及び前記ベース領域上に跨がって形成され、このソース領域とベース領域とを短絡するソース電極と、前記半導体基板の第2の主面上に形成された半導体層に形成され、前記ドレイン領域と接している第2導電型のアノード領域と、前記アノード領域及びこのアノード領域と接している部分を含んでいる前記ドレイン領域の一部に形成された重金属拡散領域と、前記アノード領域の表面に形成された重金属のシリサイド層と、前記重金属のシリサイド層上に形成されたアノード電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。