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J-GLOBAL ID：200903083435684163

電子放出素子、その製造方法、電子源及び画像形成装置

Inventor： 宮田 浩克
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001299846
Publication number (International publication number)：2003109490
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 電子放出素子を局所的な有機ガス圧分布の影響を受けない同一の条件で活性化することで、均一性に優れた電子放出素子を提供する。【解決手段】 基板上に形成した一対の電極間に電子放出部を含む導電性薄膜を有する表面伝導型電子放出素子において、該基板の表面に細孔内に炭素を担持したメソポーラスシリカ薄膜が設けられている電子放出素子。上記炭素を担持したメソポーラスシリカ薄膜中の細孔構造が二次元ヘキサゴナル構造であり、かつ該細孔が前記一対の電極間の電界の方向に対して平行に配向しているのが好ましい。

Claim (excerpt)：

基板上に形成した一対の電極と、該電極間に配置された間隙を有する導電性膜と、該間隙内に配置された炭素あるいは炭素化合物とを有する電子放出素子において、該基板の表面に、細孔内に炭素を担持したメソポーラスシリカ薄膜が設けられていることを特徴とする電子放出素子。

IPC (4)：

H01J 1/316 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4)：

H01J 9/02 E ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 E

F-Term (10)：

5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE02 ,  5C036EE14 ,  5C036EE16 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11