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J-GLOBAL ID：200903083436481703

温度を一定にした半導体集積回路装置及びそのパツケージ

Inventor： 愛須 克彦
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991339659
Publication number (International publication number)：1993152614
Application date： Nov. 27, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ヒートシンクを用いず、しかもICの温度を一定温度に保つ。【構成】 シリコン基板2の表面にはP型拡散領域6が形成され、その拡散領域6の表面上に金属層8が形成されてペルチェ効果を示す接合Jが形成されている。インナーリード10aと10bはペルチェ効果を示す接合Jに電流を流すためのリードとして利用され、金属層8とインナーリード10aとの間がワイヤ12aで接続され、P型領域6とインナーリード10bとの間はワイヤ12bで接続されている。各リード10,10a,10bはパッケージの外部の端子につながり、プリント配線基板などに搭載される。

Claim (excerpt)：

半導体回路が形成される半導体基板にペルチェ効果により熱エネルギーの吸収と放出を行なう接合を有し、その接合に流れる電流を制御して前記半導体基板温度を一定に保つ半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 35/28 ,  H01L 23/38