半導体チップの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：武顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001027133
Publication number (International publication number)：2002231892
Application date： Feb. 02, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】小型にしてセキュリティ特性に優れたコイルオンチップの製造方法を提供する。【解決手段】通常のプロセス技術にしたがって、所要の素子と当該素子間を接続する配線とを有する複数の回路部2がスクライブエリア3を介して形成され、かつ、スクライブエリア3内に図示しない前記素子から引き出されたイニシャライズ用配線4と当該配線4の先端部に接続されたイニシャライズ用パッド5とが形成されたウエハ1を作製する工程(手順S-1)と、イニシャライズ用パッド5及びイニシャライズ用配線4を利用して回路部2のイニシャライズを実行する工程(手順S-2)と、ウエハ1の回路部形成面に絶縁保護層7を形成する工程(手順S-3)と、当該絶縁保護層7上の回路部2と対向する部分に非接触通信用のコイル8を形成する工程(手順S-4)と、ウエハ1をスクライブエリア3内のダイシング位置6でダイシングし、イニシャライズ用配線4を切断する工程(手順S-5)とを含む構成とする。

Claim (excerpt)：

半導体素子と当該半導体素子間を接続する配線とを有する複数の回路部がスクライブエリアを介して形成され、かつ、前記スクライブエリアに前記素子から引き出されたイニシャライズ用配線と当該配線の先端部に接続されたイニシャライズ用パッドとが形成されたウエハを作製した後、前記イニシャライズ用パッド及びイニシャライズ用配線を利用して前記回路部のイニシャライズを実行し、次いで、前記回路部のイニシャライズが完了した後、前記ウエハの回路部形成面に絶縁保護層を形成すると共に、当該絶縁保護層上に非接触通信用のコイルを形成し、次いで、前記コイルの形成が完了した後に、前記ウエハを前記スクライブエリア内でダイシングして、前記イニシャライズ用配線を切断することを特徴とする半導体チップの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/04 L , H01L 27/04 E

F-Term (5)：

5F038AZ04 , 5F038BE01 , 5F038CA02 , 5F038CA13 , 5F038EZ20

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