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J-GLOBAL ID：200903083448106282

半導体装置用基板

Inventor： 山本 喜之 ,  今井 貴浩 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 上代 哲司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993192118
Publication number (International publication number)：1995045748
Application date： Aug. 03, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】結晶性は比較的悪く、しかし放熱性の高い安価な半導体実装用ダイヤモンド基板。【目的】 高い放熱性を保持しながらかつ安価に製造できるダイヤモンド基板。【構成】 ダイヤモンドの誘電特性、結晶性を低下させることにより、高熱伝導性を維持しながら、ダイヤモンド基板製造のコストを大幅に低下させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体装置を実装する基板であって、少なくとも気相合成ダイヤモンド層を有し、かつ該ダイヤモンド層の熱伝導率が10W/cm・K以上、100MHzにおける比誘電率が6以上、誘電損失が0.01以上であるような半導体素子実装用基板。

IPC (2)：

H01L 23/14 ,  C30B 29/04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭62-154650
  
• 特開昭63-288975
  
• 特開平2-023639