半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998085205
Publication number (International publication number)：1999284222
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板上に形成された半導体素子内および半導体素子間の電気的な分離が充分でなく、諸特性が悪く、高集積化ができないという問題があった。【解決手段】周期表第IV族の単一元素から成る基板上に、周期表第III -V族の元素から成る化合物半導体層を形成し、この化合物半導体層を用いて複数の半導体素子を形成した半導体装置であって、上記複数の半導体素子間や複数の電極間における基板の表面部に、上記化合物半導体層が存在しない溝を設けた。

Claim (excerpt)：

周期表第IV族の単一元素から成る基板上に、周期表第III -V族の元素から成る化合物半導体層を形成し、この化合物半導体層を用いて複数の電極を有する複数の半導体素子を形成した半導体装置において、前記複数の半導体素子間における前記基板の表面部に、前記化合物半導体層が存在しない溝を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/76 , H01L 27/095 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 A , H01S 3/18 , H01L 21/76 L , H01L 29/80 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-212483
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-119035 Applicant：新日本製鐵株式会社
シリコン基板上化合物半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-296075 Applicant：富士通株式会社

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