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J-GLOBAL ID：200903083449492836
電荷結合装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992093714
Publication number (International publication number)：1993268526
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 信号電荷を検出する浮遊拡散層の寄生容量CFJを削減し、検出感度の向上を図る。【構成】 n型半導体基板11上にpウェル12を形成し、前記pウェル12の表面領域内に電荷転送領域13aと浮遊拡散層13bとからなるnウェル13を形成する。浮遊拡散層13b直下のpウェル12を浅く形成する。基板にリセットクロックφR を印加して、φR のハイレベル時に浮遊拡散層13b-基板11間をパンチスルー状態にすることにより、浮遊拡散層13bに蓄積されていた信号電荷を基板11へ引き抜く。
Claim (excerpt)：
第1導電型半導体基板上に第2導電型のウェルが設けられ、前記ウェルの表面領域内に第1導電型の電荷転送領域設けられ、前記電荷転送領域上に絶縁膜を介して電荷転送電極が設けられ、前記電荷転送領域の後段の前記ウェル内に前記電荷転送領域内を転送されてきた信号電荷の転送を受ける浮遊拡散層が設けられている電荷結合装置において、前記半導体基板に電圧を印加することにより、前記浮遊拡散層と前記半導体基板間のみを選択的にパンチスルー状態にできるように構成されていることを特徴とする電荷結合装置。
IPC (3)：
H04N 5/335
, H01L 21/339
, H01L 29/796
