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J-GLOBAL ID：200903083471602203

新規メソポーラス炭素構造体の製造法

Inventor： 王 正明 ,  星野尾 恭美子 ,  大井 健太
Applicant, Patent owner： 独立行政法人 科学技術振興機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 佐伯 憲生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002381293
Publication number (International publication number)：2004210583
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：

【課題】本発明は、グラファイトを酸化して得たグラファイト酸化物の層間をソフト化学的な手法により処理し、より温和の条件下で高炭素収率のメソポーラス的な炭素構造体を合成することを目的とするものである。【解決手段】本発明は、多孔質グラファイト複合材料を、不活性雰囲気中で高温で炭化処理し、次いで当該多孔質グラファイト複合材料中の金属酸化物又は半金属酸化物を溶出する処理をすることを特徴とするメソポーラス炭素構造体を製造する方法、及び当該方法により製造されたメソポーラス炭素構造体に関する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

多孔質グラファイト複合材料を、不活性雰囲気中で高温で炭化処理し、次いで当該多孔質グラファイト複合材料中の金属酸化物又は半金属酸化物を溶出する処理をすることを特徴とするメソポーラス炭素構造体を製造する方法。

IPC (3)：

C01B31/02 ,  B01J20/20 ,  B01J20/28

FI (3)：

C01B31/02 101Z ,  B01J20/20 D ,  B01J20/28 Z

F-Term (34)：

4G066AA04B ,  4G066AA20D ,  4G066AA22D ,  4G066AA23D ,  4G066AA27D ,  4G066BA23 ,  4G066BA26 ,  4G066CA10 ,  4G066CA20 ,  4G066CA56 ,  4G066FA22 ,  4G066FA34 ,  4G066FA38 ,  4G146AA01 ,  4G146AB01 ,  4G146AC05A ,  4G146AC05B ,  4G146AC06A ,  4G146AC06B ,  4G146AC07A ,  4G146AC08A ,  4G146AC08B ,  4G146AC09A ,  4G146AC09B ,  4G146AC10A ,  4G146AC10B ,  4G146AD21 ,  4G146AD31 ,  4G146BA02 ,  4G146BB11 ,  4G146BC03 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146CA11