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J-GLOBAL ID：200903083476600799

受光集積素子

Inventor： 牛窪 孝 ,  古川 量三
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992282804
Publication number (International publication number)：1994132511
Application date： Oct. 21, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 増幅素子と受光素子を接続する信号伝搬用の配線電極を特別に設けることを要しない、構造の簡単な受光集積素子を提供すること。【構成】 HBT構造を有する増幅素子およびMSM構造を有する受光素子が互いに両素子間の信号伝搬を行うための共通層50は、増幅素子の制御層と前記受光素子の半導体受光層とを兼ねたn-InGaAs層50を以って構成し、増幅素子は、共通層50、p-InP層52および共通層50の裏面に設けられ第2主電極58を具えたp-InP基板54を以って構成し、受光素子は共通層50、バイアス電極60、p-InP層52および第1主電極とを以って構成する。

Claim (excerpt)：

HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)構造を有する増幅素子およびMSM(金属-半導体-金属)構造を有する受光素子が互いに両素子間の信号伝搬を行わせるための共通層を具えることを特徴とする受光集積素子。

IPC (4)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/04 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/108

FI (3)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/02 A ,  H01L 31/10 C