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J-GLOBAL ID：200903083480121331

炭化ケイ素への不純物ドーピング方法

Inventor：
藤井 兼栄

About 藤井 兼栄

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堀野 裕治

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中田 俊武

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渡辺 正則

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Applicant, Patent owner：
工業技術院長

About 工業技術院長

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株式会社イオン工学研究所

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Agent (2)： 工業技術院大阪工業技術研究所長 (外1名) ,  福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994273445
Publication number (International publication number)：1996139048
Application date： Nov. 08, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】【目的】 炭化ケイ素にその結晶性を損なうことなく不純物元素を均一にドーピングする方法を提供することである。【構成】 SiC基板1上に28Si+ のイオンビームおよび12C- のイオンビームを同時に照射することにより、SiC基板1上に28Si12Cエピタキシャル層2を形成する。SiC基板1上の28Si12Cエピタキシャル層2にガンマ線5を照射するとともに、エキシマレーザ光6をパルス状に照射する。これにより、28Si12Cエピタキシャル層2中の28Siが27Alに変換され、SiC基板1上に27Alドープ28Si12Cエピタキシャル層2aが形成される。
Claim (excerpt)：
炭化ケイ素にガンマ線または中性子線を照射することにより前記炭化ケイ素中のケイ素の同位体のうち所定の同位体をアクセプタ不純物またはドナー不純物に変換することを特徴とする炭化ケイ素への不純物ドーピング方法。
IPC (4)：
H01L 21/261 ,  C30B 29/36 ,  C30B 31/20 ,  H01L 21/22
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (19)
  • 特開昭57-111018
  • 特開昭52-070754
  • 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-217085   Applicant：株式会社イオン工学研究所, 中嶋堅志郎, 江龍修
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Cited by examiner (2)
  • 特開昭57-111018
  • 特開昭52-070754

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