高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002103576
Publication number (International publication number)：2003292547
Application date： Apr. 05, 2002
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】一般式(1a)及び(1b)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1はフッ素原子、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R2a及びR2bは水素原子又は-R3-CO2R4であり、R2a及びR2bのうち少なくとも一方は-R3-CO2R4を含有する。R3はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基である。R4は水素原子、酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20のフッ素化されたアルキル基である。)【効果】本発明のレジスト材料は高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている上に、ベースポリマーとして用いたカルボン酸エステルペンダント型の含フッ素樹脂が透明性、解像性、及びプラズマエッチング耐性に優れていることがわかった。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1a)及び(1b)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R2a及びR2bは水素原子又は-R3-CO2R4であり、R2a及びR2bのうち少なくとも一方は-R3-CO2R4を含有する。R3は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基である。R4は水素原子、酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。)

IPC (2)：

C08F236/20 , G03F 7/039 601

FI (2)：

C08F236/20 , G03F 7/039 601

F-Term (29)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB11 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AS13P , 4J100AS13Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-057342 Applicant：旭硝子株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-056564 Applicant：JSR株式会社
閉環重合モノマーおよびポリマー
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-505451 Applicant：カモンウェルスサイエンティフィックアンドインダストリアルリサーチオーガニゼーション, イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー

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