半導体素子および半導体層の形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005128864
Publication number (International publication number)：2005236328
Application date： Apr. 27, 2005
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】複数の結晶方位の中から適切な方位を選択して素子領域を配置することが可能ZnO半導体層の形成方法および半導体素子を提供することである。【解決手段】下地の上面上に所定の間隔で隔てられた複数のマスク層を形成する工程と、前記マスク層を選択成長マスクとしてZnO半導体層を形成する工程と、を備えることにより、縦方向に伝播する転位が低減されたZnO半導体層を形成する。【選択図】図21

Claim (excerpt)：

下地の上面上に所定の間隔で隔てられた複数のマスク層を形成する工程と、前記マスク層を選択成長マスクとしてZnO半導体層を形成する工程と、を備えることにより、縦方向に伝播する転位が低減されたZnO半導体層を形成することを特徴とするZnO半導体層の形成方法。

IPC (1)：

H01S5/347

FI (1)：

H01S5/347

F-Term (26)：

5F173AA08 , 5F173AF03 , 5F173AF15 , 5F173AF35 , 5F173AF75 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AH31 , 5F173AH44 , 5F173AH48 , 5F173AH49 , 5F173AJ10 , 5F173AJ20 , 5F173AK22 , 5F173AP04 , 5F173AP05 , 5F173AP19 , 5F173AP20 , 5F173AP24 , 5F173AP32 , 5F173AP38 , 5F173AP43 , 5F173AP44 , 5F173AP45 , 5F173AP47 , 5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ZnO系材料とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265774 Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社
窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-336356 Applicant：ソニー株式会社
3-5族化合物半導体と発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-070621 Applicant：住友化学工業株式会社

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