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J-GLOBAL ID：200903083490790983

ビームスプリッター

Inventor： 川俣 健
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 奈良 武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993187561
Publication number (International publication number)：1995020306
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 反射率、透過率が高く、P偏光とS偏光の差が小さいビームスプリッターを形成する。【構成】 光が入射する第1プリズムから第2プリズム側に対して、屈折率n<SB>1</SB>の第1誘電体層、Ag層、屈折率n<SB>2 </SB>の第2誘電体層、屈折率n<SB>3 </SB>の第3誘電体層を順に積層し、且つ各屈折率が1.8<n<SB>1 </SB>≦2.6、2.1≦n<SB>2 </SB>≦2.6、1.8<n<SB>3 </SB>≦2.1であり、n<SB>1 </SB>≦n<SB>2 </SB>、n<SB>3 </SB><n<SB>2 </SB>の条件を満足する構造とする。

Claim (excerpt)：

光が入射する第1プリズムから第2プリズム側に対して、屈折率n<SB>1 </SB>の第1の誘電体層,Ag層,屈折率n<SB>2 </SB>の第2の誘電体層,屈折率n<SB>3</SB>の第3の誘電体層が順に積層され、且つ、各屈折率が1.8<n<SB>1 </SB>≦2.6,2.1≦n<SB>2 </SB>≦2.6,1.8<n<SB>3 </SB>≦2.1であり、n<SB>1 </SB>≦n<SB>2 </SB>,n<SB>3 </SB><n<SB>2 </SB>の条件を満足することを特徴とするビームスプリッター。