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J-GLOBAL ID：200903083499253263

材料評価装置

Inventor： 石坂 彰利
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006121538
Publication number (International publication number)：2007292623
Application date： Apr. 26, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：

【課題】x線光電子分光の帯電現象の解析により評価対象の材料中の電荷欠陥を定量的な計測を可能とする。【解決手段】1 試料にあたっているx線の照射面積を可変とするため複数の異なった孔径を有する稼動しぼりを試料の前面に設ける。 2 試料に当たっているx線の強度分布が均一であるように上記1の稼動絞りを用いて計測する手法。 3 x線の試料への照射開始、終了は、定常状態のx線源から放射されているx線を、x線源と試料の間に設けた高速シャッターで行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

X線を試料に照射するX線照射部と、 当該X線が前記試料に照射される面積を制限する複数の面積の異なる孔部を有する絞りと、 照射面積の制限された前記X線を前記試料に照射して、前記試料からアースに流れる試料電流を計測する手段と、 前記試料への前記X線の照射を遮断するシャッタとを備え、 当該シャッタの動作を制御する制御手段を備えることを特徴とする評価装置。

IPC (3)：

G01N 23/22 ,  G01N 23/227 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01N23/22 ,  G01N23/227 ,  H01L21/66 N

F-Term (22)：

2G001AA01 ,  2G001BA07 ,  2G001BA08 ,  2G001CA03 ,  2G001GA03 ,  2G001GA05 ,  2G001GA11 ,  2G001HA01 ,  2G001KA12 ,  2G001KA20 ,  2G001LA02 ,  2G001LA11 ,  2G001LA20 ,  2G001NA12 ,  2G001NA17 ,  2G001SA01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA04 ,  4M106CA18 ,  4M106CB07 ,  4M106DH34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体評価装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-319983   Applicant：株式会社日立製作所