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J-GLOBAL ID：200903083507966380

光半導体装置

Inventor： 手塚 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994042372
Publication number (International publication number)：1995249816
Application date： Mar. 14, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】応答速度や増幅作用の改善を図り得る光半導体装置を提供すること【構成】GaAs基板4上の第1の反射鏡としての多層膜反射鏡1と、多層膜反射鏡1上に設けられた発光層A1、発光層A2と、発光層A1,A2間に設けられた第2の反射鏡としての多層膜反射鏡2と、発光層A2上に設けられた第3の反射鏡としての多層膜反射鏡3とを備えている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けられた第1の反射鏡と、この第1の反射鏡上に設けられた複数の発光層と、これら複数の発光層の各間に設けられた第2の反射鏡と、前記複数の発光層のうち、最上層の発光層上に設けられた第3の反射鏡とを具備してなることを特徴とする光半導体装置。