エッチング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992265380
Publication number (International publication number)：1994089880
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】低圧プロセスにて異方性エッチングを実現し、かつダメージの少ないエッチングを実施すること。【構成】絶縁性の第1のチャンバー10と導電性の第2チャンバー12とは、開口10aを介して連通している。第1のチャンバー10内にはガス導入管14を介して不活性ガスが導入され、その周囲に設けたヘリコン波型プラズマ生成部30の作用により、不活性ガスをプラズマ化する。第2のチャンバー12内には、ガス導入管16を介して反応性ガスガ導入され、この反応性ガスは、第1チャンバー10内のプラズマ電子により励起され、活性種が生成される。この第2のチャンバー12内の活性種は、セルフバイアス効果により負電位となっている載置台20側に引き込まれ、酸化膜26上に吸着される。さらに、載置台20側に向かう電界方向に沿って不活性ガスのイオン照射が行われ、このイオンアシストにより活性種と酸化膜とが反応し、低圧雰囲気にて化学的エッチングが促進する。

Claim (excerpt)：

被処理体上に形成された酸化膜をエッチングする装置において、不活性ガスが導入される第1のチャンバー内で前記不活性ガスをプラズマ化する手段と、前記酸化膜と反応して該酸化膜をエッチングする反応性ガスが導入される第2のチャンバーを有し、この第2のチャンバーは前記第1のチャンバーと連通し、プラズマ化された不活性ガスにより前記反応性ガスを励起して活性種を生成する手段と、を有し、載置電極上に載置された前記被処理体の前記酸化膜上に前記活性種を吸着させ、かつ、前記不活性ガスのイオンアシストにより前記酸化膜と前記活性種とを反応させて低圧エッチングを行うことを特徴とするエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

SiO2 膜のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-098895 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
特開平3-276719
特開平3-263827

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