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J-GLOBAL ID：200903083527016361

異物欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法

Inventor： 西山 英利 ,  野口 稔 ,  宍戸 弘明 ,  見坊 行雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997184776
Publication number (International publication number)：1999030590
Application date： Jul. 10, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は被検査物の検査領域に対応して、光検出器の検出光量を調整手段を持つことにより、散乱光量の異なるパターンの上の異物・欠陥を高感度に検出する。【解決手段】照明手段201で被検査物を照明し、被検査物からの散乱光を結像光学系203で検出光量調整手段204に結像させる。この時、被検査物からの散乱光強度に応じて非線形素子などを用いて散乱光強度分布を変調する。この変調された光を結像光学系205で光検出手段206に再結像し、信号処理回路207で異物・欠陥を検出する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の異物・欠陥を高感度に検査することと、前記検査の検出物に基づいて品質管理する事により高品質な半導体デバイスを得ることを特徴とした異物欠陥検査装置および半導体デバイス製造方法。

IPC (3)：

G01N 21/88 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G01N 21/88 E ,  G03F 1/08 V ,  H01L 21/30 502 V