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J-GLOBAL ID：200903083529750259

四酸化三コバルトの製造方法及びコバルト酸リチウムの製造方法

Inventor：
番田 知宏

About 番田 知宏

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原 孝志

About 原 孝志

, 
安部 祐貴

About 安部 祐貴


Applicant, Patent owner：
日本化学工業株式会社

About 日本化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002162726
Publication number (International publication number)：2004010375
Application date： Jun. 04, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：
【目的】特にリチウム二次電池の正極活物質として用いるコバルト酸リチウム、特に平均粒径が10μm以上のコバルト酸リチウムの製造原料として有用なNa含有量が0.1重量%以下で、且つタップ密度が大きく、粒度分布のシャープな平均粒径が5〜30μmの四酸化三コバルトの製造方法を提供する。【解決手段】下記の(A1)〜(A2)工程を含むことを特徴とする平均粒径が5〜30μmの四酸化三コバルトの製造方法。(A1)工程;硫酸コバルト水溶液に、炭酸水素ナトリウム水溶液を温度50°C以上で添加し、次いで反応液にアルカリを添加して反応系内のpHを8〜12に調製し沈澱物を生成させる工程。(A2)工程;(A1)工程で生成した沈澱物を温度600〜1000°Cで焼成を行って四酸化三コバルトを得る工程。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記の(A1)〜(A2)工程を含むことを特徴とする平均粒径が5〜30μmの四酸化三コバルトの製造方法。 (A1)工程;硫酸コバルト水溶液に、炭酸水素ナトリウム水溶液を温度50°C以上で添加し、次いで反応液にアルカリを添加して反応系内のpHを8〜12に調製し沈澱物を生成させる工程。 (A2)工程;(A1)工程で生成した沈澱物を温度600〜1000°Cで焼成を行って四酸化三コバルトを得る工程。
IPC (3)：
C01G51/04 ,  C01G51/00 ,  H01M4/58
FI (3)：
C01G51/04 ,  C01G51/00 A ,  H01M4/58
F-Term (15)：
4G048AA02 ,  4G048AA04 ,  4G048AB02 ,  4G048AB05 ,  4G048AB06 ,  4G048AB08 ,  4G048AC06 ,  4G048AD04 ,  4G048AE05 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA08 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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