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J-GLOBAL ID：200903083535711230

プラズマ気相成長装置

Inventor： 木下 孝幸
Applicant, Patent owner： 山口日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144144
Publication number (International publication number)：1995006961
Application date： Jun. 16, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】成長ガスを整流板と上部電極を通してウェハー上で反応させ膜成長を行う場合にウェハー上へのガス供給量が面内で不均一になるのを防ぐ。【構成】整流板8上に、リング9や円板10を乗せる。これにより、反応室内においてガス導入部2より導入された成長ガスが整流板8のガス放出穴を通る際に、整流板8面内においてガス供給量が不均一になるのを防ぎ、ウェハー面内の膜厚均一性が悪化するのを防ぐ。

Claim (excerpt)：

反応室内上下電極間にプラズマを発生させ、上部より反応ガスを供給し電極間に置いたウェハー表面に酸化膜などを気相成長させるプラズマ気相成長装置において供給ガスのフローを電極板上部に設置したガス放出板(以下、整流板とする)により制御することを特徴とするプラズマ気相成長装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-185978
  
• 特開平1-156477
  
• 特開平2-260632
  
• 特開平4-037124