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J-GLOBAL ID：200903083540488400

半導体製造装置における不純物拡散炉

Inventor： 鹿住 隆雄
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992203293
Publication number (International publication number)：1994053154
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【構成】 複数のガス噴出口13を有するインジェクター5を備えた半導体製造装置における不純物拡散炉において、前記インジェクター5のガス噴出口13の穴径を、このインジェクター5へのガス流入口12からの距離が大きくなるにつれて徐々に大きく形成した。【効果】 ガス流入口に近いガス噴出口から噴出するガス流量と、ガス流入口から遠いガス噴出口から噴出するガス流量とを等しくすることができる。これにより、その搭載位置に拘らず、不純物拡散層における不純物濃度が均一なシリコンウエハを製造することが可能となる。

Claim (excerpt)：

複数のガス噴出口を有するインジェクターを備え、前記インジェクターのガス噴出口の穴径を、このインジェクターへのガス流入口からの距離が大きくなるにつれて徐々に大きく形成したことを特徴とする半導体製造装置における不純物拡散炉。

IPC (2)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/223