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J-GLOBAL ID：200903083542373820

酸化物電極

Inventor： 佐藤 健史 ,  葛西 昌弘 ,  伊東 庸子 ,  小園 裕三
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237622
Publication number (International publication number)：1995094681
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】超伝導素子やDRAM及び不揮発性RAMに用いられる高配向性の誘電体薄膜が容易に形成できる下部電極を提供する。【構成】導電性ペロブスカイト型酸化物3を単結晶基板1上にエピタキシャルに形成するか、単結晶基板1上にエピタキシャルに形成されたバッファ上にエピタキシャルに形成して下部電極2とする。

Claim (excerpt)：

比抵抗が500mΩcm以下であるペロブスカイト型酸化物からなる電極において、基板上にエピタキシャルに形成されることを特徴とする酸化物電極。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C30B 23/08 ZAA ,  H01L 21/203