有機半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉村俊一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004134881
Publication number (International publication number)：2005294785
Application date： Mar. 31, 2004
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：

【課題】有機半導体層への電荷注入が容易で、電荷移動特性のよい有機半導体層を備えた有機半導体装置を提供する。【解決手段】対向する第1の電極及び第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の間に設けられた有機半導体層とを有する有機半導体装置であって、第1の電極及び第2の電極のうち少なくとも一方の電極と有機半導体層との間に、電荷注入促進層が形成されている有機半導体装置により、上記課題を解決した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いに対向する第1の電極及び第2の電極と、当該第1の電極及び当該第2の電極の間に設けられた有機半導体層とを有する有機半導体装置であって、前記第1の電極及び前記第2の電極のうち少なくとも一方の電極と前記有機半導体層との間に、電荷注入促進層が形成されていることを特徴とする有機半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/28 , H01L29/78 616U

F-Term (37)：

5F110AA01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

有機電界発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-064876 Applicant：藤平正道, 三菱化学株式会社
特表2001-5122145号公報

Cited by examiner (6)

エレクトロルミネッセンスデバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-505659 Applicant：エコールポリテクニークフェデラルドドゥローザンヌ
有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-274401 Applicant：松下電器産業株式会社
有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-208210 Applicant：パイオニア株式会社

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