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J-GLOBAL ID：200903083550426828

希土類ドープ半導体層の形成方法

Inventor： デビッド・ブルース・ビーチ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993185980
Publication number (International publication number)：1994177062
Application date： Jul. 28, 1993
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 希土類をドープしたエピタキシャル半導体層を基板上に形成するCVDプロセスを提供する。【構成】 気相のシランまたはゲルマンと希土類化合物を利用する。この方法により、希土類をドープし、希土類内で過飽和した単相半導体層が形成される。好適な希土類はエルビウム、CVDによってエルビウムを被着するために好適な前駆体は、エルビウム・ヘキサフルオロアセチルアセトネート、アセチルアセトネート、テトラメチルヘプタンジオネート、及びフルオロオクタンジオネートである。

Claim (excerpt)：

エルビウムをドープした半導体層を基板上に形成する方法であって、基板上に被着膜を形成するための膜形成チャンバに、気相のゲルマン、シラン、及びその混合物から成るグループから選択された第1要素と、500°Cで10-6トルを超える蒸気圧を有する気相のエルビウム化合物から成る第2要素との混合物を導入し、上記基板を加熱するステップを含む、エルビウム・ドープ半導体層の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/223