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J-GLOBAL ID：200903083556813653

半導体装置

Inventor： 五十嵐 弘 文
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242835
Publication number (International publication number)：1995106324
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 RC遅延の最適化が容易な半導体装置を得る。【構成】 半導体素子の形成領域に、絶縁層を介して、単一または複数の配線層が形成された半導体装置において、同一の配線層の配線の上面を同一平面上に揃えると共に、少なくとも一本の配線の厚みを他と異ならせたものである。

Claim (excerpt)：

半導体素子の形成領域に、絶縁層を介して、単一または複数の配線層が形成された半導体装置において、同一の配線層の配線の上面を同一平面上に揃えると共に、少なくとも一本の配線の厚みを他と異ならせたことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-137328
  
• 特開平4-372133
  
• 特開昭52-024084