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J-GLOBAL ID：200903083558845331

非晶質半導体の製造方法

Inventor： 波多野 晃継 ,  久保田 英志
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  株式会社アフティ
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992203587
Publication number (International publication number)：1994049636
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ガス状態の材料の供給が困難な非晶質半導体を作製できると共に、安全な作業環境を保ちながら、各種デバイスに応用できる良質で低価格の非晶質半導体を作製できる非晶質半導体の製造方法を提供する。【構成】 マイクロ波と磁界との相互作用による電子サイクロトロン共鳴条件下で、電子を加速することによって、プラズマ室11に導入した導入ガスに基づくプラズマ流17を発生させ、プラズマ流17を固体のスパッタターゲット18に衝突させて、スパッタターゲット18からスパッタ原子を飛び出させ、このスパッタ原子を、基板22上に堆積させることによって、基板22上に非晶質半導体薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

プラズマ室にガスを導入し、上記プラズマ室に、マイクロ波と磁界を印加して、上記プラズマ室内をマイクロ波と磁界との相互作用による電子サイクロトロン共鳴条件に設定して、電子を加速することによって、上記導入ガスのプラズマを発生させ、上記プラズマを固体のスパッタターゲットに衝突させて、上記スパッタターゲットからスパッタ原子を飛び出させ、上記スパッタ原子を、基板上に堆積させることによって、上記基板上に非晶質半導体を形成することを特徴とする非晶質半導体の製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-028367
  
• 特開平4-021774
  
• 特開平1-240648
  
• 特開昭61-026771