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J-GLOBAL ID：200903083563176448

熱電半導体素子及びその製造方法

Inventor： 櫻木 史郎
Applicant, Patent owner： ユニオンマテリアル株式会社
Agent (1)： 杉山 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995276751
Publication number (International publication number)：1996228027
Application date： Sep. 29, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】 コストの低いサーモモジュールを製造できる熱電半導体素子を提供する。【解決手段】 p形とn形の熱電化合物半導体の単結晶は熱伝導性の低い、ゴム、プラスチック、シリコーン樹脂のような柔軟な絶縁物1で架橋されている。また、柔軟な絶縁物1には、半導体単結晶の架橋に必要な部分以外には孔2を形成して、熱電半導体素子の表面と裏面を熱的に絶縁している。この熱電半導体素子のp型とn型の半導体単結晶を導電性プラスチック電極で接続し、その両端をゴム、プラスチック等の柔軟な絶縁物の基板で挟むことにより、柔軟性のあるサーモモジュールを作成できる。

Claim (excerpt)：

互いに同数ずつの熱電素子用p型半導体結晶及び熱電素子用n型半導体結晶を柔軟な絶縁物又は硬質絶縁物で架橋したことを特徴とする熱電半導体素子。

IPC (5)：

H01L 35/32 ,  C30B 29/46 ,  C30B 29/62 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

FI (5)：

H01L 35/32 A ,  C30B 29/46 ,  C30B 29/62 Z ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34