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J-GLOBAL ID：200903083575896969

半導体基板、位置検出用マークの形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 片桐 創一 ,  寺澤 恒男 ,  曽我 隆 ,  小川 太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994068257
Publication number (International publication number)：1995283103
Application date： Apr. 06, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】露光装置又は描画装置の位置合わせ精度を向上させることのできる半導体基板を提供すること。【構成】ウェハ基板1の半導体素子が形成される面又はその逆の面に設けられた、凹部を持つ位置検出用マーク3aの表面が平坦になるように、保護膜2を設けた半導体基板。また、ウェハ基板の半導体素子が形成される面又はその逆の面に、2種類以上の繰り返し周期の凹部からなる位置検出用マークを設けてもよい。

Claim (excerpt)：

半導体基板の半導体素子が形成される面又はその逆の面に設けられた、凹部を持つ位置検出用マークの表面が平坦であることを特徴とする半導体基板。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G01B 11/00 ,  H01L 21/68