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J-GLOBAL ID：200903083588918856

窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法

Inventor： 柴田 真佐知 ,  古屋 貴士
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998112052
Publication number (International publication number)：1999189498
Application date： Apr. 22, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来大型結晶を得るのが困難であったGaN等のIII 族元素の高純度な窒化物結晶を容易かつ安価に得ることのできる、新規な結晶成長方法を提案することにある。【解決手段】III 族金属元素を加熱、融解し、得ようとする窒化物の融点以下の温度で、III 族金属元素の融液3に窒素原子を含有するガスNH3 を注入して、III 族金属元素の融液3内で、融液3との濡れ性の高いIII 族の窒化物微結晶を製造する。これにより得られるIII 族の窒化物微結晶とIII 族金属原料融液の混合物を液相成長法の出発原料に用いるか、前記混合物からIII 族金属原料を除去して得られるIII 族の窒化物粉末を気相成長法の出発原料に用いる。さらに、ガリウム等のIII 族元素の融液中に種結晶または基板結晶を浸漬し、その表面にアンモニア等の窒素を含有するガスの気泡を断続的に接触させて、種結晶または基板結晶の表面でIII 族元素と窒素を含有するガスを反応させ、これによりその表面にIII 族元素の窒化物結晶を成長させる。

Claim (excerpt)：

III 族金属元素を加熱、融解し、得ようとする窒化物の融点以下の温度で、III 族金属元素の融液に窒素原子を含有するガスを注入して、III 族金属元素の融液内でIII 族の窒化物微結晶を製造することを特徴とする窒化物結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (2)：

C30B 29/38 Z ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-005902
  
• 特開昭51-151299
  
• 特開平1-145309
  
• 特開平4-154607