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J-GLOBAL ID：200903083595313552

半導体光素子およびその製造方法

Inventor： 山田 光志
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995233749
Publication number (International publication number)：1997083062
Application date： Sep. 12, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 導波光に対し透明な窓領域を素子端部に有し、かつ、製造が容易な半導体光素子を提供する。【解決手段】 表面に半導体光素子の素子長と実質的に同一な長さLの凹領域13が形成され、かつ、該長さ方向の延長上において該凹領域13に連なる凸領域15に端面が形成されている半導体基板11を具える。さらに、この半導体基板11の前記凹領域13上および前記端面が形成された凸領域15部分上にわたって形成され、下側クラッド層17、活性層19および上側クラッド層21を含む導波構造27を具える。

Claim (excerpt)：

導波光に対し透明な窓領域を素子端部に有する半導体光素子において、表面に半導体光素子の素子長と実質的に同一な長さの凹領域が形成され、かつ、該長さ方向の延長上において該凹領域に連なる凸領域に端面が形成されている半導体基板と、該半導体基板の前記凹領域上および前記端面が形成された凸領域部分上にわたって形成され、活性層および上側クラッド層と必要に応じ形成される下側クラッド層とを含む導波構造とを具えたことを特徴とする半導体光素子。