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J-GLOBAL ID：200903083597056425

酸化亜鉛膜を有する基板およびその製造方法

Inventor： 浅海 一志 ,  頼永 宗男 ,  青 建一
Applicant, Patent owner： 株式会社日本自動車部品総合研究所 ,  株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999001393
Publication number (International publication number)：2000199048
Application date： Jan. 06, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板の表面上に成膜された圧電素子としての酸化亜鉛膜を有する角速度センサにおいて、圧電特性と膜応力を共に満足する酸化亜鉛膜を実現する。【解決手段】 角速度センサ100は、シリコン基板1をエッチングする等により形成された振動子2と、振動子2の駆動及び検出用圧電素子として振動子2の上に形成された酸化亜鉛膜3と、駆動及び検出電極として酸化亜鉛膜3の上に形成された電極部4とを有する。ここにおいて、酸化亜鉛膜3は異なる成膜条件で連続成膜された2層より構成され、下地に位置し配向性を確保するためのシーズ層3aと、シーズ層3aよりも膜応力の小さい上層3bとからなる。

Claim (excerpt)：

一面上に成膜された圧電素子としての酸化亜鉛膜(3)を有する基板(1)であって、前記酸化亜鉛膜は、異なる成膜条件で連続成膜された少なくとも2層より構成されるとともに、前記基板の一面側に位置し配向性を確保するための第1の層(3a)と、この第1の層の上に位置し前記第1の層よりも膜応力の小さい第2の層(3b)とを有することを特徴とする酸化亜鉛膜を有する基板。

IPC (5)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (5)：

C23C 14/08 C ,  C23C 14/34 M ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z

F-Term (8)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 酸化亜鉛膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-065743   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平4-002698
  
• 特公平7-062235