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J-GLOBAL ID：200903083634073050

半導体装置の製造方法

Inventor： 門野 真也
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000382626
Publication number (International publication number)：2002184763
Application date： Dec. 15, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 種々の線幅/スパース幅のパターンが混在していても、高精度で均一な被エッチング膜のパターニングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 (a)半導体基板1上に被エッチング膜2及びハードマスク形成層3を形成する工程と、(b)ハードマスク形成層3上に所定形状のフォトレジストパターン4を形成する工程と、(c)サーマルフローによってフォトレジストパターン4を熱変形させる工程と、(d)得られたフォトレジストパターン4aをマスクとしてハードマスク形成層3をエッチングしてハードマスク3aを形成する工程と、(e)ハードマスク3aをマスクとして被エッチング膜2をエッチングする工程とを含む半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板上に被エッチング膜及びハードマスク形成層を形成する工程と、(b)前記ハードマスク形成層上に所定形状のフォトレジストパターンを形成する工程と、(c)サーマルフローによって該フォトレジストパターンを熱変形させる工程と、(d)得られたフォトレジストパターンをマスクとして前記ハードマスク形成層をエッチングしてハードマスクを形成する工程と、(e)該ハードマスクをマスクとして前記被エッチング膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3213

FI (8)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 C

F-Term (106)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA29 ,  2H025DA30 ,  2H025FA03 ,  2H025FA14 ,  2H025FA33 ,  2H025FA41 ,  2H025FA47 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA05 ,  2H096EA02 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA01 ,  2H096HA05 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA07 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD71 ,  4M104HH14 ,  5F004AA16 ,  5F004DB00 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB13 ,  5F004DB15 ,  5F004EA07 ,  5F004EA25 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033MM07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033SS24 ,  5F033SS27 ,  5F033XX03 ,  5F043AA10 ,  5F043AA24 ,  5F043AA25 ,  5F043AA26 ,  5F043AA28 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043BB16 ,  5F043BB17 ,  5F043BB23 ,  5F043GG02 ,  5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平1-307228
  
• 特開平4-127157
  

Cited by examiner (1)

• 特開平1-307228