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J-GLOBAL ID：200903083637647197

半導体光集積回路の製造方法

Inventor： 荒川 智志 ,  鎌田 良行 ,  柳川 久治
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308772
Publication number (International publication number)：1995142698
Application date： Nov. 15, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 近接して設けられる半導体層部間の電流リークや光の漏れを防ぐことができる半導体光集積回路の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板30上に第1半導体層部40と第2半導体層部41とを近接して形成する工程を有する半導体光集積回路の製造方法において、半導体基板30上に第1半導体層部40を形成し、次いで、前記第1半導体層部40上、その側壁面およびその側壁下端周縁部40aに所望の形状の成長防止マスク34を形成し、次いで、前記成長防止マスク34上を除いて選択的に第2半導体層を成長させて第2半導体層部41を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1半導体層部と第2半導体層部とを近接して形成する工程を有する半導体光集積回路の製造方法において、半導体基板上に所望の形状の第1半導体層部を形成し、次いで、前記第1半導体層部上、その側壁面およびその側壁下端周縁部に所望の形状の成長防止マスクを形成し、次いで、前記成長防止マスク上を除いて選択的に第2半導体層を成長させて第2半導体層部を形成することを特徴とする半導体光集積回路の製造方法。