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J-GLOBAL ID:200903083660895092

ハイブリッド光導波回路およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993001133
Publication number (International publication number):1994201930
Application date: Jan. 07, 1993
Publication date: Jul. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 埋め込み型光導波路に光素子を位置精度よく搭載する。【構成】 基板1上には光導波路2が形成されており、しかも、コア層2bが十分に厚いオーバークラッド層2aで取り囲まれた埋め込み型光導波路となっている。この埋め込み型光導波路に光素子3を精度よく表面実装するため、光素子搭載部I及び光素子ガイドIIを形成し、光素子ガイドIIの上面を基準面2Dとする。これにより基準面2Dとコア層2bの中心との距離と、活性層3aと底面(基準面)3bとの距離を等しくできる。かくて位置精度のよい表面実装をする。
Claim (excerpt):
基板上に形成した光導波路と、該基板上の所望位置に該光導波路と光軸が一致するように搭載した光素子とで構成するハイブリッド光導波回路において、該光導波路は、アンダークラッド層、コア層、および該コア層を取り囲むように形成したオーバークラッド層とからなる埋め込み型光導波路であり、該光導波路基板上の所望位置には光素子搭載部が形成してあり、該光素子搭載部には光素子ガイドが形成されてあり、該光素子ガイド上面の高さは該コア層上面と同等以上で且つオーバークラッド層表面より低い高さに設定されている、ことを特徴とするハイブリッド光導波回路。
IPC (3):
G02B 6/12 ,  H01L 31/02 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平3-205889

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