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J-GLOBAL ID：200903083664041438

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 船田 文明 ,  森田 達夫 ,  田仲 広久 ,  張 宏勇 ,  高山 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993218156
Publication number (International publication number)：1995058338
Application date： Aug. 10, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、周辺回路部分と画素部分とに、それぞれ適したTFTを配置する。【構成】 アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、周辺回路部分には、高移動度を有し、多くのオン電流を流すことのできるTFTを配置する。また画素部分には、オフ電流の小さいTFTを配置する。こような特性の異なるTFTを基板に平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を利用して構成する。即ち、結晶成長した方向とキャリアの移動する方向との角度をそれぞれ異ならせることで、キャリアが移動する際に受ける抵抗を制御し、TFTの特性を決定する。例えば、結晶成長方向とキャリアの移動する方向とを合わせることで、キャリアに高移動度を有せしめることができる。また、結晶成長方向とキャリアの移動する方向とを垂直にすることで、オフ電流を下げる構成とすることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に基板表面に平行に結晶成長した結晶性珪素膜を有し、前記結晶性珪素膜を利用して薄膜トランジスタが多数設けられており、前記多数の薄膜トランジスタの一部において、前記結晶性珪素膜中のキャリアの移動する方向と結晶成長方向とが第1の特定の角度を有するように構成され、前記多数の薄膜トランジスタの他の一部において、前記結晶性珪素膜中のキャリアの移動する方向と結晶成長方向とが第1の特定の角度とは異なる第2の特定の角度を有するように構成され、ていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 Y