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J-GLOBAL ID：200903083681130967

スパッタ装置

Inventor： 山上 朗
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992048482
Publication number (International publication number)：1993247639
Application date： Mar. 05, 1992
Publication date： Sep. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の配線材料の薄膜を形成するのに用いるスパッタ装置の構造の改良に関し、排気ガスの流量を制限して供給する反応ガスの流量を減少させて必要な室内圧を得ることにより、真空チャンバ内の不純物ガスの分圧を数ppm以下に抑え、かつクライオポンプの再生周期を長くすることが可能となるスパッタ装置の提供を目的とする。【構成】 真空チャンバ1内にスパッタリング空間を画定する防着板6を備え、この真空チャンバ1内のウエーハステージ7に搭載したウエーハ8の表面に、この真空チャンバ1の上部に設けたスパッタターゲット5から飛来した金属粒子の薄膜を形成するスパッタ装置において、この防着板6にて画定された空間内に直接アルゴンを導入する反応ガス導入口3aと、この防着板6にて画定された空間内の圧力を直接計測することが可能な圧力計4とを具備するように構成する。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ(1) 内にスパッタリング空間を画定する防着板(6) を備え、前記真空チャンバ(1) 内のウエーハステージ(7) に搭載したウエーハ(8) の表面に、前記真空チャンバ(1) の上部に設けたスパッタターゲット(5)から飛来した金属粒子の薄膜を形成するスパッタ装置において、前記防着板(6) にて画定された空間内に直接アルゴンを導入する反応ガス導入口(3a)と、前記防着板(6) にて画定された空間内の圧力を直接計測することが可能な圧力計(4) と、を具備することを特徴とするスパッタ装置。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭54-024131
  
• 特開昭58-067271