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J-GLOBAL ID：200903083685034970

半導体発光素子

Inventor： 簗嶋 克典 ,  河角 孝行
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995351077
Publication number (International publication number)：1997181398
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光素子構造を構成するn型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層9、Zn0.75Cd0.25Se活性層10、p型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層11をこれらの層と格子整合するn型In0.3 Ga0.7 As層8を介してn型GaAs基板1上に積層する。n型GaAs基板1とn型In0.3Ga0.7 As層8との間には、n型In0.05Ga0.95As層3、n型In0.1 Ga0.9 As層4、n型In0.15Ga0.85As層5、n型In0.2 Ga0.8 As層6およびn型In0.25Ga0.75As層7を挿入し、格子不整合を緩和する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板上のIn<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>1-x-y </SB>As層(ただし、0<x≦1かつ0≦y<1かつx+y≦1)と、上記In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>1-x-y </SB>As層上の、Zn、Mg、Cd、HgおよびBeからなる群より選ばれた少なくとも一種以上のII族元素とSe、SおよびTeからなる群より選ばれた少なくとも一種以上のVI族元素とからなり、発光素子構造を構成する複数のII-VI族化合物半導体層とを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D